اختبار المعالج سناب دراجون 820 لهاتف Samsung Galaxy S7

    0
    48

    مر قرابة ستة أشهر على إطلاق الهاتف الرائد Samsung Galaxy S6 للعام الحالي 2015، وبالطبع هذا لا يمنع أن تبدأ شركة سامسونج بالعمل على هاتفها الرائد القادم للعام 2016 وتحديدًا فيما يتعلق بالعتاد الداخلي والتقنيات الجديدة التي سيتم إضافتها.

    و وفقًا لتقرير جديد قادم من الصين، فقد بدأت الشركة باختبار معالج كوالكوم الجديد سناب دارجون Snapdragon 820 لهاتف “جالكسي إس السابع” Samsung Galaxy S7.

    S7-SD-820-leaked

    وفي الشهر الماضي، كان هناك تقرير آخر أشار إلى احتمال إطلاق الاسم الرمزي Jungfrau على مشروع الهاتف Samsung Galaxy S7 الذي يتم العمل عليه داخل الشركة.

    وبحسب بعض صور الوثائق المُسربة، سيدعم المعالج Snapdragon 820 ثماني الأنوية معمارية 64 بِت والمُصنع بدقة 14 نانومتر بتقنية FinFET Hydra cores وسيُقدم أداء أفضل بنسبة 35٪ من المعالج الحالي Snapdragon 810، هذا بالإضافة إلى معالج الرسوميات Adreno 530. وإلى جانب ما سبق، قد يُزوّد الهاتف Samsung Galaxy S7 بذاكرة وصول عشوائي RAM بحجم 4 جيجابايت وشريحة تخزين داخلية من نوع eMMC 5.1 و UFS بالإضافة إلى تشغيل دقة 4K بـ 60 إطار في الثانية، ومودم يدعم شبكات الجيل الرابع للهاتف النقال وفق المعيار 4G LTE Cat. 10 الأسرع.

    وتبقى هذه المعلومات ضمن إطار التسريبات، بدون وجود تأكيدات على احتمال استخدام سامسونج لمعالج كوالكوم Snapdragon 820 إلى جانب معالجاتها Exynos في هاتفها القادم Samsung Galaxy S7 على الرغم من مُساعدة سامسونج لشركة كوالكوم في تصنيع معالجها الأحدث Snapdragon 820 وفق دقة وتقنية 14 نانو متر، وهي نفس التقنية التي اُستخدمت في تصنيع معالج الهاتف الحالي Samsung Galaxy S6 بشريحة Exynos 7420 والمُحتمل تواجده أيضًا في هاتف الشركة القادم Samsung Galaxy Note 5 أيضًا.

    المصدر: SamMobile

    اختبار المعالج سناب دراجون 820 لهاتف Samsung Galaxy S7 تم كتابته في موقع اندرويد عربي

    LEAVE A REPLY